| 產(chǎn)品型號 | 單指柵寬 (μm) | 總柵寬 (mm) | 尺寸X (μm) | 尺寸Y (μm) | 典型性能@6GHz 48V (W) | 效率@6GHz 48V (%) | 增益@6GHz 48V (dB) | 典型性能@10GHz 28V (W) | 效率@10GHz 28V (%) | 增益@10GHz 28V (dB) | Download |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2J080DH2 | 220 | 8.80 | 725 | 2985 | 80 | 73 | 20.6 | 44 | 59 | 15.5 | |
| D2J325DB2 | 440 | 42.24 | 945 | 6075 | 325 | 61 | 17.3 | 180 | 45 | 9.8 | |
| D2J185DE2 | 415 | 23.24 | 920 | 4250 | 185 | 67 | 18.1 | 100 | 52 | 12.1 | |
| D2J160DH2 | 295 | 18.88 | 800 | 4390 | 160 | 69 | 19.6 | 90 | 54 | 13.8 | |
| D2J140DE2 | 345 | 16.56 | 850 | 3770 | 140 | 70 | 18.4 | 75 | 55 | 13.0 | |
| D2J090DE2 | 285 | 10.26 | 790 | 2835 | 90 | 73 | 18.9 | 50 | 58 | 13.7 | |
| D2J070DH2 | 210 | 7.56 | 655 | 2725 | 70 | 73 | 20.5 | 38 | 60 | 15.5 |
D2J080DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 725*2985 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 80 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 73 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 20.6 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 44 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 59 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 15.5 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 264 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 264 mA, 頻率 = 10 GHz
D2J325DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 945*6075 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 325 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 61 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 17.3 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 180 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 45 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 9.8 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 頻率 = 10 GHz
D2J185DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 920*4250 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 185 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 67 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.1 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 100 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 52 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 12.1 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 頻率 = 10 GHz
D2J0160DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 800*4390 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 160 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 69 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 19.6 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 90 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 54 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.8 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 頻率 = 10 GHz
D2J140DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 850*3770 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 140 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 70 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.4 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 75 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 55 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.0 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 頻率 = 10 GHz
D2J090DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 790*2835 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 90 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 73 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.9 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 50 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 58 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.7 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 頻率 = 10 GHz
D2J070DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 655*2725 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 70 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 73 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 20.5 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 38 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 60 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 15.5 | dB |
1、效率、增益標識為對應 48V 6GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)；
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 頻率 = 6 GHz
2、效率、增益標識為對應 28V 10GHz頻點，最大效率下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 頻率 = 10 GHz
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